电源设计经典案例集锦(TI内部培训资料)

2020-08-25 04:08字体:
  

  电源策画经典案例集锦(TI内部培训原料)_电子/电道_工程科技_专业原料。电源策画经典案例集锦是TI(德州仪器)公司针对电源策画周详、体系、巨头的内部培训原料,共囊括20篇精化著作,旨正在通过从道理到行使周详、体系的诠释电源策画方面的常识,从而助助电源策画工程师尽速初学并能干,信赖对电源策画的工程师会万分有助助。

  电源策画经典案例集锦(TI 内部培训原料) 电源策画经典案例集锦是 TI(德州仪器)公司针对电源策画周详、体系、巨头的内部培 训原料,旨正在通过从道理到行使周详、体系的诠释电源策画方面的常识,从而助助电源策画 工程师尽速初学并能干,信赖对电源策画的工程师会万分有助助。 电源策画必杀技:TI 公司最体系的电源策画培训原料 电源策画经典案例集锦 1:为您的电源拣选无误的作事频率 为电源拣选最佳的作事频率是一个丰富的量度流程,个中囊括尺寸、功效以及本钱。往往来 说,低频率策画往往是最为高效的,然则其尺寸最大且本钱也最高。固然调高频率能够缩小 尺寸并下降本钱,但会减少电道损耗。该《电源策画经典案例集锦》将行使一款简略的降压 电源来描摹这些量度流程。 电源策画经典案例集锦 2:小心别被电感磁芯损耗烫伤 您是否有过为降压稳压器充电、 举办满功率测试, 随后正在举办电感指端温度测试时留下了永 久(烫伤)印记的通过呢?也许过高的磁芯损耗和换取绕组损耗即是祸首祸首。正在 100-kHz 开合频率下,日常不会产生任何题目,这是由于磁芯损耗约占总电感损耗的 5% 到 10%。因 此,相应的温升才是题目所正在,跟班本《电源策画经典案例集锦》去开掘吧! 电源策画经典案例集锦 3:低本钱、高本能 LED 驱动器 跟着 LED 出产本钱的低重,LED 正在各类行使中的行使率越来越高,个中囊括手持配置、车 载以及修立照明。其高牢靠性(行使寿命跨越 50000 小时) 、高功效(175 流明/瓦)以及 近乎瞬时的相应使其成为一种颇具吸引力的光源。然则,驱动 LED 却是一项很具挑拨性的 作事。本《电源策画经典案例集锦》带你一同去理解一下低本钱、高本能的 LED 驱动器的设 计以及差异的调光计谋哦 电源策画经典案例集锦 4:刷新负载瞬态相应—第 2 片面 这篇《电源策画经典案例集锦》先容奈何行使 TL431 分道稳压器闭塞远离电源的反应环道, 然则本文着重计议了一种扩展电源统制环道带宽以刷新瞬态负载及线道相应的格式。 您可以 必必要参考原文来陆续这一计议哦。 电源策画经典案例集锦 5:高频导体的电流漫衍 跟着频率减少,导体的电流漫衍会快速变更。正在自正在空间中,比拟扁平导体, 圆形导体正在 高频下电阻更低。然则,同接地层一同行使时,或者其位于领导返回电流的导体左近时,扁 平导体则更佳。本《电源策画经典案例集锦》就将磋议自正在空间及纠缠组织中导体的有用电 阻! 电源策画经典案例集锦 6: 估算热插拔 MOSFET 的瞬态温升(1 片面) 热插拔电道用于将电容输入配置插入通电的电压总线时节制浪涌电流。如许做的方针是 提防总线电压低重以及连合配置运转结束。通过行使一个串联组件渐渐延迟新连合电容 负载的充电时光,热插拔器件能够达成这项作事。结果,该串联组件具有宏伟的损耗, 并正在充电事项爆发时候爆发温升。大大都热插拔配置的创修厂商都创议您查阅安好作事 区域 (SOA) 弧线,以便配置免受过应力损害。而本《电源策画经典案例集锦》就将带您 一同解析、磋议一种估算热插拔 MOSFET 温升的简略格式。 电源策画经典案例集锦 6: 估算热插拔 MOSFET 的瞬态温升(2 片面) 本《电源策画经典案例集锦》陆续第一片面的计议实质,并最终对一种估算热插拔 MOSFET 温升的简略格式举办磋议。 上一贴士咱们计议了奈何策画温升题目的电道犹如格式。 咱们把 热源修模成了电流源。依据体系组件的物理属性,企图取得热阻和热容。广博悉数汇集的各 种电压代外各个温度。 电源策画经典案例集锦 7:策画低压降压 IC 让简捷、经济的偏置电 源成为实际 正在本《电源策画经典案例集锦》中,咱们将磋议一款可将高 AC 输入电压转换为可用于电子 能量计等行使的低 DC 电压简略电道。正在这种迥殊的行使中,无需将输出电压远离于输入电 压。此处,进程整流的 AC 输入电压可高达 375 VDC,同时数百毫安电流时的输出电压可正在 5 伏以内。这些大容量行使往往受到本钱的鞭策,所以央求低部件数目/低本钱的电道。步 降稳压器供给了一种低本钱的处置计划,但正在行使高电压输入奉行时却充满挑拨。 电源策画经典案例集锦 8:同步降压 MOSFET 电阻比的无误拣选 正在这篇《电源策画经典案例集锦》中,咱们将磋议正在同步降压功率级中奈何对传导功耗举办 折中执掌,而其与占空比和 FET 电阻比相合。举办这种折中执掌可取得一个用于 FET 拣选 的万分有效的肇始点。往往,行为策画流程的一个构成片面,您会有一套囊括了输入电压范 围和盼愿输出电压的楷模,而且需求拣选少许 FET。其余,若是您是一名 IC 策画职员,则 您还会有肯定的预算,其划定了 FET 本钱或者封装尺寸。这两种输入会助助您拣选总 MOSFET 芯局部积。之后,这些输入可用于对各个 FET 面积举办功效方面的优化。 电源策画经典案例集锦 9:留心 SEPIC 耦合电感回道电流(1 片面) 正在这篇 《电源策画经典案例集锦》 中, 咱们将确定 SEPIC 拓扑中耦合电感的少许泄电感央求。 正在不央求主级电道和次级电道之间电气远离且输入电压高于或者低于输出电压时,SEPIC 是 一种万分有效的拓扑。 正在央求短道电道珍惜时, 咱们能够行使它来庖代升压转换器。 SEPIC 转 换器的特性是单开合作事和陆续输入电流,从而带来较低的电磁扰乱 (EMI)。 电源策画经典案例集锦 9: 留心 SEPIC 耦合电感回道电流(2 片面) 正在这篇《电源策画经典案例集锦》中,咱们陆续第一片面的计议,即奈何确定 SEPIC 拓扑 中耦合电感的泄电感央求。前面,咱们计议了耦合电容器 AC 电压被施加于耦合电感泄电感 的环境。泄电感电压会正在电源中惹起较大的回道电流。正在第 2 片面中,咱们将先容欺骗松散 耦合电感和精密耦合电感所构修电源的少许衡量结果。 电源策画经典案例集锦 10:行使高压 LED 升高灯胆功效 行使 LED 行为光源的灯胆来替换螺纹旋入式白炽灯胆有良众好处。日常而言,咱们将小号 (5-9)的 LED 串联起来,行使一个电源将线电压转换为低电压(往往为数十伏) ,这时的 电流约为 350 到 700mA。正在确定奈何最好地让用户同线电压远离的流程中,咱们需求深思 熟虑、量度利弊。咱们能够正在电源中完成远离,也能够正在 LED 安置流程中举办这种远离。 正在少许低功耗策画中, LED 物理远离是一种常用格式, 由于它首肯行使本钱更低的非远离式 电源。 电源策画经典案例集锦 11:折当选择输入电容纹波电流的线压规模 您正在为一个低功耗、离线电源拣选输入滤波电容时,会产生一种兴趣的量度流程。您要折中 地采纳电容的纹波电流额定值,以适合电源作事所需的电压规模。通过减少输入电容,您可 以获取更众纹波电流的同时还能够通过下降输入电容的压降来缩小电源的作事输入电压范 围。 如许做会影响电源的变压器匝数比以及各类电压及电流应力。 电容纹波电流额定值越大, 应力越小,电源功效也就越高。 电源策画经典案例集锦 12:行使简单锁存电道珍惜电源 您一经是否需求过一款简略、低本钱的锁存电道?本《电源策画经典案例集锦》就会给出这 样一款电道,它只需几元钱的组件便能够供给电源妨碍珍惜,根基上是一个可控硅整流器 (SCR),勾结了少许离散组件哦。这种电道的一个兴趣性子是,您能够通过拣选电阻器值修 立 SCR 的坚持电流。 为了让锁存电道正在触发自此已经坚持开启, 两个基极发射极结点必必要 有足够的电压(~0.7 V)让其坚持开启状况。这就意味着,若是向它供给的电流为 Vbe / R1 + Vbe / R2 以上,则电道锁存。若是锁存电道连合一个小电流的电容器,则锁存电道对该电容 器放电。一朝电道的电流删除至坚持电流以下,它便闭塞了。 电源策画经典案例集锦 13:同步整流带来的不但仅是高功效 您是否一经央求策画过一种轻负载状况下具有优秀负载瞬态相应的电源呢?若是是, 而且您 还首肯电源非陆续, 那么您可以会出现统制环道的增益正在轻负载状况下快速低重。 这会导致 较差的瞬态相应, 而且需求洪量的输出滤波电容器。 一种更简略的格式是让电源正在一切负载 状况下都为陆续。 电源策画经典案例集锦 14:DDR 内存电源 CMOS 逻辑体系的功耗重要与时钟频率、体系内各栅极的输入电容以及电源电压相合。器件 形体尺寸减小后,电源电压也随之下降,从而正在栅极层大大下降功耗。这种低电压器件具有 更低的功耗和更高的运转速率, 首肯体系时钟频率升高至千兆赫兹级别。 正在这些高时钟频率 下,阻抗统制、无误的总线终止和最小交叉耦合,带来高保真度的时钟信号。古板上,逻辑 体系仅对一个时钟沿的数据计时,而双倍数据速度 (DDR) 内存同时对时钟的前沿和低重沿 计时。它使数据通过速率翻了一倍,且体系功耗减少极少。 电源策画经典案例集锦 15:可替换集成 MOSFET 的分立器件 正在电源策画中,工程师往往相会对统制 IC 驱动电流不够的题目,或者面对因为栅极驱动损 耗导致统制 IC 功耗过大的题目。为缓解这一题目,工程师往往会采用外部驱动器。半导体 厂商(囊括 TI 正在内)具有现成的 MOSFET 集成电道驱动器处置计划,但这往往不是本钱最 低的处置计划。往往会拣选代价几美分的分立器件,本《电源策画经典案例集锦》就将为您 先容一下可替换集成 MOSFET 的分立器件。 电源策画经典案例集锦 16:分立器件—一款可替换集成 MOSFET 驱 动器的卓异处置计划 正在《电源策画经典案例集锦 15》中,咱们计议了 MOSFET 栅极驱动电道中行使的发射器跟 踪器,而且明白到欺骗小型 SOT-23 晶体管便能够完成 2A 规模的驱动电流。正在本策画小贴 士中, 咱们来明白一下自驱动同整流器并探求何时需求分立驱动器来珍惜同步整流器栅极免 受过高电压带来的损坏。 电源策画经典案例集锦 17:无误地同步降压 FET 时序 因为工程师们都正在竭尽所能地获取其电源的最高功效, 时序优化正变得越来越首要。 正在开合 时候,存正在两个过渡阶段:低压侧开合开启和高压侧开合开启。 低压侧开启开合至合首要,由于该过渡阶段简直没有损耗,也即“无损开启” 。正在高压侧开 合闭塞自此, 电感电流驱动开合节点电压无损接地。 开启低压侧开合的最佳机会便为过渡结 束时。若是正在低压侧开启以前主体二极管短暂导电,则其无合大局,由于它不会导致反向恢 复损耗。不才一个开合过渡之前,该结点处的过剩载流统共耗散。然则,若是电流已经长时 间存正在于主体二极管内, 则会有过高的传导损耗。 高压侧 FET 开启时序是最为首要的过渡。 因为同低压侧 FET 存正在交叉导通,所以开启过早会导致直通损耗; 开启过晚又会导致传导损 耗增高,而且会将过剩载流注入低压侧 FET 主体二极管内(务必对其举办复兴) 。不管哪种 环境,城市下降功效。 电源策画经典案例集锦 18:非远离式电源的共模电流 非远离式电源的共模电流可以成为一个电磁扰乱 (EMI) 源,您是否一经排除过它呢?正在一 些高压电源中, 比如: LED 灯胆所行使的电源, 您可以会出现您无法排除它们。 经提神查看, 出现非远离式电源与远离式电源原本并没有什么两样。本《电源策画经典案例集锦》就带你 一同去开掘一下非远离式电源的共模电流题目。 电源策画经典案例集锦 19:处置远离式开合的传导性共模辐射题目 正在《电源策画经典案例集锦 18:非远离式电源的共模电流》中,咱们计议了开合级中大电 压摆动奈何变成共模电流的题目, 并先容了它驱动电流进入电容到机架接地的流程。 正在这篇 《电源策画经典案例集锦》中,咱们将陆续计议共模电流的题目

联系我们CONTACT

全国服务热线:
021-63282858
地 址:上海市闸北区永兴路258弄1号兴亚广场1706室
电 话:021-63282858
传 真:021-63212618
邮 箱:admin@fsxyy.com